IT之家 12 月 27 日音书，比利时 imec 微电子究诘中心暗示，在本月 7~11 日于好意思国举行的 IEEE IEDM 2024 外洋电子器件会议上，该机构展示了基于 NbTiN（氮化钛铌）超导材料的三类超导数字电源关节模块：互联（电线和通孔）、约瑟夫森结和 MIM 电容器。

imec 暗示其展示的技艺具有可膨大性，与法度 300mm（IT之家注：即 12 英寸）CMOS 制造技艺兼容，这些超导结构还能承受传统 BEOL 后端工艺中的 420℃ 加工温度。

而在参数推崇上，imec 的第一代超导数字电路较基于惯例 7nm CMOS 的系统能效提高了 100 倍、性能提高了 10~100 倍。

▲ 超导电路结构，图源 imec

imec 声称其 NbTiN 互联、约瑟夫森结、MIM 电容器均昌盛了所设念念系统的工艺范例：

imec 在 NbTiN 超导互联上接受半大马士革集成工艺构建双金属级决策，达成了低至 50nm 的导线和通孔临界尺寸，领有高于 13K 的临界温度和大于 120 mA/μm2的临界电流密度；

而在约瑟夫森结部分，其通过夹在两个超导 NbTiN 层之间的 aSi 非晶态硅达成了大于 2.5 mA/μm2的临界电流密度；

imec 还展示了使用 NbTiN 电极、基于 HZO（Hf0.5Zr0.5O2）材料的可调谐电容器体育游戏app平台，该电容器用有约 8 fF/μm2 的高电容密度。

imec 在 NbTiN 超导互联上接受半大马士革集成工艺构建双金属级决策，达成了低至 50nm 的导线和通孔临界尺寸，领有高于 13K 的临界温度和大于 120 mA/μm2的临界电流密度；

而在约瑟夫森结部分，其通过夹在两个超导 NbTiN 层之间的 aSi 非晶态硅达成了大于 2.5 mA/μm2的临界电流密度；

imec 还展示了使用 NbTiN 电极、基于 HZO（Hf0.5Zr0.5O2）材料的可调谐电容器，该电容器用有约 8 fF/μm2 的高电容密度。